損耗角正切（TAN）
這是一個(gè)在電容器的能量損耗的測量。它表示，為棕褐色，是電容器的功率損耗其無功功率分為一組指定的正弦電壓頻率。也用的術(shù)語是功率因數(shù)，損耗因子和介電損耗。 COS（90 - ）是真正的功率因數(shù)。 “使用測量進(jìn)行測量譚橋梁，提供一個(gè)0.5V RMS120Hz的正弦信號(hào)，免費(fèi)諧波的2.2Vdc的偏見。

耗散因數(shù)（D.F.）。
耗散因數(shù)測量的切線損耗角（TAN），以百分比表示。測量DF是開展測量橋梁供應(yīng)一個(gè)0.5V RMS120Hz的正弦信號(hào)，免費(fèi)諧波與偏見2.2Vdc。 DF值是溫度和頻率依賴性。注意：對(duì)于表面貼裝產(chǎn)品所允許的最大DF值表示的收視率表是很重要請(qǐng)注意，這些限額會(huì)見了由組件后基板上焊接。

耗散因數(shù)的頻率依賴性
隨著頻率的增加損耗因數(shù)所示鉭和OxiCap廬電容器的典型曲線相同的：

耗散與溫度的關(guān)系
耗散系數(shù)隨溫度變化的典型曲線表演。這些地塊是鉭和OxiCap相同®電容器。對(duì)于最高限額，請(qǐng)參閱的評(píng)分表。

AVX鉭電容的阻抗(Z)。
這是電流電壓的比值，在指定的頻率。三個(gè)因素促成了鉭電容器的阻抗;半導(dǎo)體層的電阻電容價(jià)值和電極和引線電感。在高頻率導(dǎo)致的電感成為一個(gè)限制因素。溫度和頻率的行為確定這三個(gè)因素的阻抗行為阻抗Z。阻抗是在25° C和100kHz。

AVX鉭電容的等效串聯(lián)電阻ESR。
阻力損失發(fā)生在一切可行的形式電容器。這些都是由幾種不同的機(jī)制，包括電阻元件和觸點(diǎn)，粘性勢力內(nèi)介質(zhì)和生產(chǎn)旁路的缺陷電流路徑。為了表達(dá)對(duì)他們的這些損失的影響視為電容的ESR。 ESR的頻率依賴性和可利用的關(guān)系;ESR=譚δ2πfC其中F是赫茲的頻率，C是電容法拉。ESR是在25 ° C和100kHz的測量。ESR是阻抗的因素之一，在高頻率（100kHz和以上）就變成了主導(dǎo)因素。從而ESR和阻抗幾乎成了相同，阻抗僅小幅走高。

AVX鉭電容的阻抗和ESR的頻率依賴性。
ESR和阻抗都隨頻率的增加。在較低頻率值作為額外的貢獻(xiàn)分歧阻抗（由于電容器的電抗）變得更加重要。除了1MHz的（和超越電容的諧振點(diǎn)）阻抗再次增加由于電感，電容的。典型ESR和阻抗值是類似的鉭，鈮氧化物材料，從而在相同的圖表都有效鉭電容和OxiCap®電容器。

AVX代理談鉭電容的阻抗與溫度的關(guān)系
和ESR。在100kHz，阻抗和ESR的行為相同，隨著溫度的升高下降的典型曲線

鉭電容的浪涌電壓

是指電容在很短的時(shí)間經(jīng)過最小的串聯(lián)電阻的電路33Ohms（CECC國家1KΩ）能承受的最高電壓。浪涌電壓，常溫下一個(gè)小時(shí)時(shí)間內(nèi)可達(dá)到高達(dá)10倍額度電壓并高達(dá)30秒的時(shí)間。浪涌電壓只作為參考參數(shù)，不能用作電路設(shè)計(jì)的依據(jù)，在正常運(yùn)行過程中，電容應(yīng)定期充電和放電。

不同溫度下浪涌電壓的值是不一樣的，在85度及以下溫度時(shí)，分類電壓VC等于額定電壓VR，浪涌電壓VS等于額度電壓VR的1.3倍；在85到125度時(shí)，分類電壓VC等于額定電壓VR的0.66倍，浪涌電壓VS等于分類電壓VC的1.3倍。

AVX鉭電容能承受的電壓和電流浪涌能力是有限的，這是基于所有電解電容的共同屬性，一個(gè)值夠高的電應(yīng)力會(huì)穿過電介質(zhì)，從而破壞了介質(zhì)。例如一個(gè)6伏的鉭電容在額定電壓運(yùn)行時(shí)，有一個(gè)167千伏/毫米電壓的電場。因此一定要確保整個(gè)電容器終端的電壓的決不會(huì)超過規(guī)定的浪涌電壓評(píng)級(jí)。作為鉭電容負(fù)極板層使用的半導(dǎo)體二氧化錳有自愈能力。然而，這種低阻是有限的。在低阻抗電路的情況下，電容器可能被浪涌電流擊穿。降壓的電容，增加了元件的可靠性。AVX公司推薦降級(jí)表“（第119頁）總結(jié)額定電壓使用上常見的電壓軌跡，低阻抗鉭電容在電路進(jìn)行快速充電或放電時(shí)，保護(hù)電阻建議為1Ω/ V。如果達(dá)不到此要求應(yīng)使用鉭電容器降壓系數(shù)高達(dá)70％。在這種情況下，可能需要更高的電壓比作為一個(gè)單一的電容。 A系列組合應(yīng)被用來增加工作電壓的等效電容器：例如，兩個(gè)22μF25V系列部分相當(dāng)于一個(gè)11μF50V的一部分。

鉭電容的反向電壓

AVX鉭電容的反向電壓是有嚴(yán)格的限制的，具體如下：

在1.0V 25° C條件下最大為10％的額定直流工作電壓
在0.5V 85° C條件下最大為3％的額定直流工作電壓
在0.1V 125℃條件下最大為1％的額定直流工作電壓
反向電壓值均以鉭電容在任何時(shí)間上的最高電壓值為準(zhǔn)。這些限制是假設(shè)鉭電容器偏振光在其大多數(shù)的正確方向工作壽命。他們的目的是涵蓋短期逆轉(zhuǎn)如發(fā)生在開關(guān)瞬態(tài)極性期間的一個(gè)印象深刻的波形的一小部分。連續(xù)施加反向電壓會(huì)導(dǎo)致兩極分化，將導(dǎo)致漏電流增大。在在何種情況下連續(xù)反向應(yīng)用電壓可能會(huì)出現(xiàn)兩個(gè)類似的電容應(yīng)采用與負(fù)端接背回配置連接在一起。在大多數(shù)情況下這種組合將有一個(gè)標(biāo)稱電容的電容的一半無論是電容。在孤立的脈沖條件或在最初幾個(gè)周期內(nèi)，電容可能的方法完整的標(biāo)稱值。反向電壓等級(jí)的設(shè)計(jì)蓋小級(jí)別游覽得天獨(dú)厚的條件弄錯(cuò)極性。引用的值是不打算覆蓋連續(xù)的反向操作。

鉭電容的疊加交流電壓（Vr.m.s.）------又稱紋波電壓

這是最大的r.m.s.交流電壓;疊加一個(gè)特區(qū)電壓，可應(yīng)用到一個(gè)電容。在華盛頓的總和電壓和峰值疊加A.C.電壓不得超過該類別電壓，v.c.第2節(jié)中的全部細(xì)節(jié)

鉭電容的成型電壓。
這是在陽極氧化形成的電壓。 “這個(gè)氧化層的厚度是形成電壓成正比一個(gè)電容器，并在設(shè)置額定電壓的一個(gè)因素。

AVX鉭電容的頻率特性

我們知道每種電容都有它的頻率特性,那么AVX鉭電容的頻率特性是怎么樣的呢?
AVX鉭電容隨著頻率的增加有效電容的值會(huì)減小，直到共振達(dá)到（通常視0.5 - 5MHz的之間該評(píng)級(jí)）。除了共振頻率的設(shè)備變得感性。除了100kHz的電容繼續(xù)下降。

下面以AVX貼片鉭電容E型的220UF 10V規(guī)格為例,來說明鉭電容的頻率特性.